本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法——汞探针电容-电压法。
本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017 cm-3。
本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。