标准编号：T/IAWBS 002-2017本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2 μm厚的碳化硅外延层。,标准网,标准分享网,标准下载网,免费标准网,标准信息网,国家标准网
标准名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
英文名称：Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所
标准状态：现行
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。
本标准适用于同质的超过（含）2 μm厚的碳化硅外延层。
本标准适用于同质的超过（含）2 μm厚的碳化硅外延层。
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