标准编号：SJ/T 11586-2016本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于,标准网,标准分享网,标准下载网,免费标准网,标准信息网,国家标准网
标准名称：半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法
英文名称：l0keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
标准状态：现行
发布日期：2016-01-15
实施日期：2016-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。
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